Alerta

一种芳杂环硼酸类量子点电致发光界面修饰材料及其制备方法

Resumen de: CN122749577A

本发明公开一种芳杂环硼酸类量子点电致发光界面修饰材料及其制备方法，涉及半导体光电材料与有机功能分子材料技术领域。所述材料为含硼酸锚定基团、联噻吩芳杂环共轭骨架和三异丙基硅基的式1化合物。其制备包括原料经卤锂交换和硅基化反应得到中间体1，再经Suzuki偶联得到中间体2，随后硼酸化并酸化水解得到目标产物。该材料可形成量子点发光层界面修饰层，钝化表面缺陷、降低非辐射复合、改善电荷传输和成膜稳定性，从而提高器件发光效率、亮度稳定性及工作寿命。

一种球形纳米氧化硅溶胶及其制备方法和应用

Resumen de: CN122748666A

0001 本发明涉及抛光技术领域，公开了一种球形纳米氧化硅溶胶及其制备方法和应用。为了提高抛光加工效率并降低划痕缺陷，本发明以球形氧化硅颗粒作为抛光溶胶中的胶粒，将胶粒的球形度控制为0.8以上，通过球形度高的颗粒减少对抛光基底的划伤，并进一步地，通过将Q<4>单元作为溶胶胶粒的主体成分、以及在以Q<4>单元为主体的胶粒中设置特定含量10~45%的T<3>单元，来提高抛光加工效率，从而获得一种抛光速率高、划痕缺陷少的氧化硅溶胶。本发明通过制备球形聚硅氧烷微粒后、经煅烧得到球形度高、且T<3>单元占比为10~45%的氧化硅微粒，然后依次形成溶胶，本方法不使用可溶性金属盐溶剂，不引入钠离子等额外杂质，制备工艺简单。

一种用于锂离子电池负极的CoS纳米花复合材料及制备方法

Resumen de: CN122762631A

0001 本发明公开一种用于锂离子电池负极的CoS纳米花复合材料及制备方法，涉及锂离子电池电极材料技术领域；本发明采用水热法结合电沉积法制备，以柔性碳布为导电基底，在碳布表面原位生长四氧化三钴纳米线阵列，再在纳米线阵列表面包覆由纳米片构筑的硫化钴纳米花结构。本发明通过复合结构设计能够改善电极材料的结构稳定性与电子传导能力，缓解充放电过程中的体积形变问题，当本发明复合材料作为锂离子电池负极时，具有优秀的电化学可逆性、循环稳定性和倍率性能。

一种NiOx醇溶剂分散液的制备方法及在正型钙钛矿太阳能电池中的应用

Resumen de: CN122748730A

本发明涉及一种NiOx醇溶剂分散液的制备方法，属于太阳能电池技术领域，该方法制备在醇溶剂中分散良好的纳米晶NiOx，并且通过在醇溶剂中按一定比例先后添加具有长链烷基和酸碱反应端基的化合物油酸、油胺，提高NiOx纳米颗粒在醇溶剂的分散性，并且在分散过程中还能有效避免纳米晶NiOx颗粒的剧烈团聚的倾向。本发明还提供一种基于该NiOx醇溶剂分散液的正型钙钛矿太阳能电池及其制备方法，使用该NiOx作为空穴传输层，降低了正型钙钛矿太阳能电池的串联电阻，并通过提高空穴提取效率进一步优化了正型钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，且不存在对钙钛矿材料的破坏作用。

一种导轨用9Mn2CrV钢及其分级盐浴控形制备工艺

Resumen de: CN122751086A

本发明提出一种导轨用9Mn2CrV钢及其分级盐浴控形制备工艺，属于钢导轨热处理技术领域。本发明以铌微合金化9Mn2CrV钢中形成纳米Nb(C,N)颗粒钉扎奥氏体晶界，再经球化退火和粗加工得到导轨半成品，并置于同配方氯盐浴中预热和奥氏体化，再转入独立中温盐浴短时保持，对奥氏体进行中温短时均温预稳定处理，使导轨截面温度趋于均匀并减轻后续相变应力集中，随后以工作面朝上姿态部分浸入同配方第一级盐浴使两端暴露于空气中冷却，浸入时控制吊具下降深度使两端暴露于空气中，盐浴炉内循环搅拌使浴温均匀，同时控制吊具转移时间，再翻转使工作面朝下全长浸入第二级硝盐浴冷却，最后经深冷处理和低温回火，得到所需的导轨用钢。

一种无表面活性剂的二氧化硅包覆量子点的方法

Resumen de: CN122750362A

0001 本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种无表面活性剂的二氧化硅包覆量子点的方法，无表面活性剂的二氧化硅包覆量子点的方法包括步骤：将量子点溶液与非极性溶剂进行混合，得到的量子点分散液与量子点极性改性剂进行混合，得到极性量子点；将非极性溶剂、无质子型极性溶剂、两亲性溶剂和水解缩合催化剂进行混合，得到反向微乳液；将极性量子点与反向微乳液和硅烷偶联剂进行混合，经水解缩合和破乳处理后，得到二氧化硅包覆的量子点。通过利用非极性溶剂和无质子型极性溶剂作为反向微乳液的油相和水相，形成油包水型反向微乳液体系，使得作为有机硅源的硅烷偶联剂可控的在水相液滴中发生水解缩合。

一种简单的一步溶剂热法合成小尺寸的铂纳米带及应用

Resumen de: CN122746474A

0001 本发明公开了一种简单的一步溶剂热法合成小尺寸的铂纳米带。纳米带大多具有加长的梯形、扭曲的六边形和正方形。纳米带的纵向变化很大，从20 nm到2 nm不等，宽度相对均匀，平均宽度为8.1±1.9 nm。该方法对比传统合成方法操作和实验条件简单，通过调整反应时间和反应温度可以实现生成铂纳米带；同时，通过改变溶剂二乙烯三胺的浓度和还原剂六羰基钼的含量，可以调控小尺寸铂纳米带的宽度。该纳米带在乙二醇电催化等领域具大的应用潜力。本发明具有工艺简单，操作简便和环保的优点。

一种ZIF-8衍生的Mn-Se/NC双原子纳米材料及其制备方法和应用

Resumen de: CN122746459A

本发明公开了一种ZIF‑8衍生的Mn‑Se/NC双原子纳米材料及其制备方法和应用，将Mn‑ZIF‑8粉末进行热解获得Mn/NC，将硒粉置于管式炉的上游，将Mn/NC置于管式炉的下游，在保护性气氛下热处理获得Mn‑Se/NC双原子纳米材料，本发明所提供的Mn‑Se/NC双原子纳米材料，通过ZIF‑8原位限域作用，使Mn、Se的双原子位点在氮掺杂多孔碳载体上高度分散，借助Mn与Se之间的电子协同效应，显著提升材料的类POD酶催化活性，能够在肿瘤弱酸性微环境中高效催化H2O2产生羟基自由基，诱导肿瘤细胞凋亡，实现高效催化抗肿瘤。

一种基于芳香氢-氢空间相互作用的水溶性近红外二区发光金纳米团簇及其制备方法与应用

Resumen de: CN122750352A

0001 本发明公开一种基于芳香氢‑氢空间相互作用的水溶性近红外二区发光金纳米团簇及其制备方法及应用。本发明合成了一系列水溶性近红外二区发光的金纳米团簇，通过精准调控羧基在芳香配体上的位置，改变硫醇小分子对金纳米团簇的置换能力。当芳香配体一侧的羧基接近金核时，会扭曲配体层结构，增加配体层拥挤程度，压缩另一侧芳香氢空间距离，进而发生芳香氢‑氢空间相互作用，通过跨空间作用与构象锁定，提高配体对金核的保护能力，实现团簇结构的高度稳定。同时，延长金纳米团簇的药代动力学，增强肿瘤部位的富集和成像。开发精准调控肝脏中谷胱甘肽介导的纳米颗粒生物转化配体工程策略，以突破配体过早解离、纳米颗粒功能受限这一生化障碍的需求。

一种H2S响应多功能光诊疗剂及其制备方法与应用

Resumen de: CN122749472A

0001 本发明属于生物医药化学与肿瘤光诊疗技术领域，具体涉及一种H<2>S响应多功能光诊疗剂及其制备方法与应用，本发明构建了以三苯乙烯取代三苯胺为给体、噻吩为π桥、3‑（二氰基亚甲基）靛酮衍生物为受体的供体‑π桥‑受体型小分子，引入2,4‑二硝基苯磺酰H<2>S响应基团，得到2CNO、2CNOF、2CNOCl三类化合物，可与DSPE‑PEG2000自组装形成纳米粒子。该体系在H<2>S作用下响应基团断裂，表现为光谱红移、光热效应增强、单线态氧生成恢复及光声信号增强，可实现肿瘤选择性激活与光声成像引导的光动力/光热协同治疗，兼具制备简便、响应特异性高、生物安全性好等优点，在肿瘤精准诊疗领域具有广阔应用前景。

一种富晶界金属纳米片网状阵列材料、制备方法及其应用

Resumen de: CN122746457A

0001 本发明涉及一种富晶界金属纳米片网状阵列材料、制备方法及其应用，属于纳米材料技术领域。所述材料由贵金属超细晶畴交联成纳米片，纳米片以网状阵列结构排布；且具有高密度晶界缺陷。制备时，首先在亲水性导电基底上生长SnS<2>纳米片阵列，然后与贵金属盐前驱体混合，利用SnS<2>表面的S物种介导还原贵金属离子，使其原位还原并负载于纳米片表面；最后通过电化学浸出SnS<2>并使贵金属原子进行重构，在导电基底上得到富晶界金属纳米片网状阵列材料。所述材料具有优异的电催化性能。

Ni-Fe合金镀层钢、其镀覆方法和由其制得的电池壳

Resumen de: CN122751283A

本发明涉及一种Ni‑Fe合金镀层钢，其特征在于，所述Ni‑Fe合金镀层钢包含钢基底和位于钢基底上的Ni‑Fe合金层，所述Ni‑Fe合金层中(111)面和(200)面的晶体取向占该Ni‑Fe合金层全部晶体取向的95％以上。此外，本发明还涉及在基底上镀覆Ni‑Fe合金层的方法以及由Ni‑Fe合金镀层钢形成的电池壳。本发明的镀覆方法能够实现高达95％以上的电流效率，起到了节省能源，降低生产成本的作用。本发明制备的Ni‑Fe合金镀层钢展现出更低的阻抗特征频率和更高的耐腐蚀性，满足锂离子电池特殊的高腐蚀性有机电解液体系的应用需求。

一种含咪唑基的胆固醇衍生物CIM、其纳米制剂及与DOX协同抗肿瘤的应用

Resumen de: CN122749644A

0001 本发明涉及医药技术领域，具体公开了一种含咪唑基的胆固醇衍生物 CIM 及其药学上可接受的盐、其纳米制剂及制备方法，以及其与盐酸阿霉素（DOX）协同抗肿瘤的应用。本发明提供的化合物 CIM 结构新颖，能够替代传统胆固醇用于脂质体制备，也可自组装形成纳米粒，所得纳米制剂理化性质优良。尤为重要的是，本发明首次发现 CIM 可通过诱导坏死性凋亡和铁死亡等多种非凋亡途径抑制肿瘤细胞，且 CIM 与 DOX 联用时对肿瘤细胞呈协同抑制效应（联合指数 CI<0.9）。基于 CIM 的透明质酸修饰 DOX 脂质体（HA‑CIM@DOX Lip）在体内模型中展现出优异的肿瘤靶向性和抑瘤效果，同时安全性良好。CIM 作为集肿瘤靶向递送、非凋亡多途径细胞死亡诱导和化疗协同功能于一体的新型载体材料，在肿瘤治疗领域具有广阔的应用前景。

一种分段供碳制备小直径长碳纳米管的方法

Resumen de: CN122748626A

本发明涉及碳纳米材料制备技术领域，公开了一种分段供碳制备小直径长碳纳米管的方法。该方法在负载Fe催化剂的基底上依次进行低碳成核、稳态生长和贫碳延长生长，使乙烯体积分数先提高后降低，并在延长生长阶段提高氢气比例、引入微量水蒸气，随后经降温、剥离、酸洗和干燥获得碳纳米管。本发明能够兼顾碳纳米管的小直径、长轴向生长和低结构缺陷。

一种反钙钛矿型分层核壳结构Co3SnC/Co@C电催化剂及其制备方法和应用

Resumen de: CN122751252A

0001 本发明属于电催化技术领域，公开了一种反钙钛矿型分层核壳结构Co<3>SnC/Co@C电催化剂及其制备方法和应用。其制备方法包括：将钴盐、锡盐和双氰胺混合研磨后经第一段煅烧得到含Co‑Sn‑C<3>N<4>网络结构的前驱体；将前驱体浸渍于钴醇盐溶液中，经旋蒸除去溶剂后，再进行第二段煅烧，得到分层核壳结构Co<3>SnC/Co@C电催化剂。所述电催化剂以Co<3>SnC@C为核，以金属Co纳米颗粒为壳。本发明制备方法原料易得、工艺简便、条件可控，所得电催化剂在碱性电解液中表现出优异的析氢催化活性和稳定性，在10mA/cm<2>电流密度下析氢过电位低至95mV，在电解水制氢领域具有广阔的应用前景。

一种用于多层陶瓷电容器的偏钛酸水热制备钛酸钡粉体的方法

Resumen de: CN122749117A

0001 本发明涉及一种用于多层陶瓷电容器的偏钛酸水热制备钛酸钡粉体的方法，该方法以偏钛酸为主要原料，采用有机/无机酸联用磺酸基有机改性剂，通过升温使偏钛酸活化，并在偏钛酸表面引入磺酸基官能团，以此实现高活性的钛化合物制备，有利于在水热反应中与钡离子结合生成钛酸钡。同时酸和有机改性剂的联用有效促进钡离子在水热过程中的去溶剂化，实现水热条件中温度和时长缩减。偏钛酸是工业上易得的钛源，以此为原料可以有效降低合成的材料成本，该方法操作简单，过程清洁环保，易于实现规模化生产。通过本发明所述方法获得的钛酸钡粉体可用于多层陶瓷电容器介电层，满足电子设备小型化、微型化需求。

一种尖晶石微球电极材料、其制备方法和应用

Resumen de: CN122748731A

本发明属于质子陶瓷电化学电池技术领域，具体涉及一种尖晶石微球电极材料、其制备方法和应用。该方法包括步骤：1）按照化学计量比称取制备尖晶石的各原料，并与尿素混合、溶解；2）将步骤1）得到的混合液进行水热反应，生成微球化合物的前驱体；3）将步骤2）得到的前驱体除杂和干燥；4）将步骤3）得到前驱体粉末转移至马弗炉进行煅烧处理，得到尖晶石微球电极材料。本发明提供的材料的纳米微观结构可诱导更高氧空位浓度，低配位金属位暴露更弱的表面M–O键，提高反应速率。对于乙烷脱氢，氧空位有效促进C–H的温和活化，抑制乙烯过度氧化。

一种硒掺杂硫纳米颗粒及其制备方法和包含其的产品

Resumen de: CN122748585A

本发明公开了一种硒掺杂硫纳米颗粒及其制备方法和包含其的产品，属于锂硫电池材料技术领域。该纳米颗粒中硒元素均匀分布于硫基体并形成Se‑S化学键，硒含量为1~40wt%。采用硫氨基法，通过硒/硫乙二胺溶液混合、析晶、洗涤干燥制得。该材料结合硒的高导电性与化学吸附作用，可提升电子传输效率、抑制穿梭效应、加快反应动力学。以其制备的Se‑S/C复合材料作为正极，显著改善锂硫电池的循环稳定性与倍率性能，工艺简便、成本低，适用于规模化生产。

一种聚多巴胺锚定单原子金属的气体传感材料及其制备方法和应用

Resumen de: CN122754255A

本发明公开了一种聚多巴胺锚定单原子金属的气体传感材料及其制备方法和应用。本发明的气体传感材料包括：半导体纳米线阵列、双功能介质层和金属单原子活性位点；所述双功能介质层覆于所述半导体纳米线阵列的表面；所述金属单原子活性位点锚定于所述双功能介质层。本发明的气体传感材料，不仅能保持半导体纳米线阵列的结构优势，还能实现单原子金属的稳定锚定与高效界面耦合，构建高效电荷转移与气体富集界面，实现对目标气体在室温下的高灵敏、高选择性和低功耗检测。

一种合成具有氧化酶活性的铂包金纳米颗粒的方法

Resumen de: CN122746460A

0001 本发明公开了一种合成具有氧化酶活性的铂包金纳米颗粒（Au@Pt）的方法，属于材料合成领域。该方法通过化学还原法合成Au@Pt纳米颗粒，具体步骤包括将金纳米颗粒、聚乙烯吡咯烷酮、碳酸钾溶液混合后加热，加入六氯代铂酸钠和抗坏血酸溶液，超声加热反应至溶液颜色由红色变为黑色，完成Au@Pt的合成。本发明还优化了Na₂PtCl₆和抗坏血酸的加入量，筛选出TMB作为最佳催化底物，并确定了pH=5为最佳催化反应条件。合成的Au@Pt纳米颗粒具有优异的催化活性，能够利用空气中的氧气催化TMB氧化反应，生成蓝色产物，且无需使用不稳定的氧化剂。本发明方法操作简便、成本低廉，适用于Au@Pt的合成及催化反应领域，具有广泛的应用前景。

一种多孔氧化铜粉末及其制备方法和应用

Resumen de: CN122748706A

0001 本发明公开了一种多孔氧化铜粉末的制备方法及其在VOC气体检测中的应用。所述制备方法包括：将泡沫铜浸入含有草酸和双氧水的混合溶液中反应，收集沉淀得到草酸铜前驱体，再将所述草酸铜前驱体在含氧气氛中进行热分解处理，得到多孔氧化铜粉末。该方法无需高温高压或模板剂，工艺简单、成本低廉。所得多孔氧化铜粉末由纳米粒子无序堆积形成三维多孔结构，比表面积高、孔隙丰富。将该粉末制成气敏传感器，在200℃下对100μL/L甲苯的响应值Rg/Ra≥2.5，响应恢复时间≤65/33秒，且具有良好选择性和循环稳定性。本发明提供的多孔氧化铜粉末可用于制备挥发性有机化合物气体检测传感器，在环境监测、工业生产安全等领域具有广阔应用前景。

一种基于短时宽频电磁场的高导电透明电极制作方法

Resumen de: CN122762390A

0001 本发明公开了一种基于短时宽频电磁场的高导电透明电极制备方法，针对现有透明电极制作技术具有损伤高分子基底、高透明度和高电导率难以同时满足、电导率空间均匀性差的缺陷，本发明通过对透明电极施加不同强度的短时宽频电磁场，精准诱导导电层的导电缺陷部位之间微焊接，消除因缺陷导致的电阻。该方法可在微秒级时间内将透明电极方阻从10<2>Ω/sq量级降低至20 Ω/sq以下，下降率超过80%。本发明制备工艺简单，成本低，可用于电子屏幕、太阳能电池、电致发光等领域。

一种吩噻嗪/碳纳米管复合热电材料及其制备方法

Resumen de: CN122766236A

0001 本发明公开了一种吩噻嗪/碳纳米管复合热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域。本发明将酚噻嗪小分子化合物与碳纳米管分散在无水氯苯中滴到基底材料上形成吩噻嗪/碳纳米管复合薄膜，酚噻嗪价格低廉，有效降低材料成本，制备的复合材料薄膜均匀平整，同时能够显著提高碳纳米管的热电性能，解决目前热电材料合成过程复杂，成本高，制备的薄膜不均匀的问题。

微量锌界面修饰的硅碳负极材料及制备方法和锂离子电池

Resumen de: CN122762636A

本发明公开了一种微量锌界面修饰的硅碳负极材料及制备方法和锂离子电池，属于锂离子电池负极材料的技术领域。所述制备方法包括：将洁净的硅原料与表面活性剂和多孔碳进行溶剂混合，其后喷雾干燥，得到第一前驱体；通过流化床处理，使金属锌和/或锌盐均匀吸附至第一前驱体上，再与有机碳源进行溶剂均质混合和高温碳化处理。本发明可解决现有硅碳复合的锂离子负极材料等出现的循环中体积变化显著、结构易粉化及电导率低下、制备成本高等问题。

基于非散射纳米结构的短波红外像素

Nº publicación: CN122766072A 15/09/2026

Solicitante:

三星电子株式会社

Resumen de: US20260282581A1

0000 Provided are systems, methods, and apparatuses for short-wave infrared pixels based on non-scattering nanostructures. In one or more examples, the systems, devices, and methods include forming a back reflector on a substrate, the back reflector being configured to reflect electromagnetic radiation; forming a first doped region of a first semiconductor adjacent to the back reflector; forming an absorption region of a second semiconductor adjacent to at least a portion of the first doped region, the absorption region being configured as a photodetector; forming a second doped region of the first semiconductor adjacent to the absorption region; and forming a nanostructure adjacent to the second doped region, the nanostructure configured to allow light incident on the pixel to pass through the nanostructure and to steer a portion of the light reflected off the back reflector towards the absorption region.