Resumen de: CN121292381A
本发明涉及钠离子电池电极材料技术领域,具体是一种含铋镍双金属硒化物的复合材料及其制备方法和应用。其制备方法是以高温热解下结构不稳定的棒状丁二铜镍前驱体为镍源,将其与铋源进行水热反应后在惰性氛围下与硒通过气相沉积的方式进行硒化处理,待冷却至室温后即可得到二维纳米板负载纳米颗粒的铋镍双金属硒化物复合材料。该方法充分利用丁二酮肟镍的低热稳定性,在热解‑硒化过程中实现棒状‑多孔状‑小纳米颗粒的转化。这种形貌的转变有利于最终均匀的包裹在硒化铋纳米板表面。该方法所用原材料廉价且来源丰富,制作周期短,稳定性好。同时,两组分在储钠过程中工作电位的互补性也可实现在整个电压范围内的高效钠储存。
Resumen de: CN121293976A
本发明公开了一种高荧光量子产率木聚糖基碳点的制备方法,所述碳点以从玉米芯中提取的木聚糖和3,4‑二氨基苯甲酸为原料,按一定比例溶于超纯水中,混合均匀后转移至水热反应釜并放入马弗炉中进行反应,反应结束后冷却至室温,通过离心和透析进行分离纯化,最后经冷冻干燥即可得到木聚糖碳点。本发明制备的木聚糖碳点分散于水中,在365 nm紫外灯下呈现蓝色荧光,荧光量子产率最高达60.01%。本发明的木聚糖碳点具有出色的荧光性能,解决了以木聚糖为前驱体难以获得高荧光量子产率碳点的瓶颈问题,制备方法简单,成本低。制备出的木聚糖碳点因荧光量子产率高,在生物标记、细胞成像和分析检测等领域有着广泛的应用前景,同时实现了农林副产物的高值化利用。
Resumen de: WO2026007848A1
Provided in the present invention are a diode device based on a single carbon nanotube, and a manufacturing method therefor. The diode device is either a Schottky diode or a p-n junction diode. The Schottky diode consists of a metal end and a semiconductor end, and is formed by axial tailoring, wherein the metal end has no band gap, the semiconductor end has a band gap greater than 0, and the metal end and the semiconductor end come into contact to form a Schottky junction. In the p-n junction diode, one end of a carbon nanotube is doped with boron to form a p-type region, the other end is tailored to introduce dangling electrons to form an n-type region, and a p-n junction is formed at a contact interface. The diode device and the manufacturing method therefor of the present invention solve the difficult problem of forming regions having different conductive properties on a single nanotube, thus break through the size constraints of existing semiconductor processes, and achieve nanoscale diode devices having a diameter less than a few nanometers or even less than one nanometer, thereby providing a new solution for miniaturized electronic devices.
Resumen de: WO2026007849A1
A quasi-carbon nanotube structure and a manufacturing method therefor. The quasi-carbon nanotube structure comprises a carbon nanotube or a carbon nanoribbon. Axial linear defects are formed on the carbon nanotube by means of atomic-level tailoring, and the carbon nanoribbon is curled to form a stable quasi-carbon nanotube structure containing axial linear defects, wherein the linear defects realize chiral inversion and bandgap width control, such that a semiconducting chirality carbon nanostructure is inverted into a metallic carbon nanostructure. Provided is an atomic-level manufacturing method for implementing electrical conductivity enhancement and chiral inversion of a carbon nanotube. The advantages of the method lie in that without requiring the chirality of an initial carbon nanotube structure, and by means of introducing required axial linear defects, the chiral inversion from a semiconducting carbon nanotube to a metallic carbon nanostructure is achieved, and the enhancement and control of metallic properties of the metallic carbon nanotube structure are also achieved. The introduced linear defects lead to degeneracy lifting, thus significantly improving the electrical conductivity of a carbon nanotube, achieving chirality control, and simplifying the chirality control mode.
Resumen de: WO2026010555A1
A polymer infiltrated graphene-enhanced thermal interface pad (100, 200) comprising a plurality of strips (102) of polymer infiltrated graphene-based film extending in the plane of the pad, wherein a thickness of the thermal interface 5 pad is different across the area of the pad.
Resumen de: EP4675667A1
A disclosed electron source includes: (A) a graphene layer having an electron emission area on a surface of the graphene layer; and (B) a p-type semiconductor layer that is in direct contact with the graphene layer and forms a Schottky junction with the graphene layer. In this way, the electrons are accelerated in the depletion layer in the p-type semiconductor layer. Moreover, unlike the MIS type electron source, since the electrons are not accelerated in the insulator layer, the dielectric breakdown caused by a large number of electrons travelling in the valence band of the insulator does not occur, and a long lifespan electron source can be realized. Note that the aforementioned p-type semiconductor layer preferably has a depletion layer having a width of 2.91 nm or more and 30 nm or less.
Resumen de: CN121271535A
本发明公布了一种核桃壳基碳量子点制备方法及应用,包括以下步骤:步骤S1.将核桃粉、邻苯二胺和乙二胺加入反应釜中,超声溶解混合,高温下反应得到CDs粗产物;步骤S2.将CDs粗产物转移至离心管离心,取上清液用0.22um滤头过滤,取滤液,得到CDs溶液;步骤S3.将所得CDs溶液透析,透析袋内的保留液取出后装入容器冷冻成冰块,放入真空冷冻干燥机中干燥,得到氮掺杂核桃壳基碳量子点:N‑CDs。本发明利用随处可见的核桃壳作为杂原子掺杂的碳源,制备了绿色环保的N‑CDs,并根据其较好的光电特性,将其掺杂到钙钛矿薄膜光伏电池中,能够增加钙钛矿太阳能电池的短路密度电流(Jsc)、开路电压(Voc)、填充因子(FF),从而提高其光电转化效率(PCE)。
Resumen de: CN121271534A
本发明提供了一种水溶性补骨脂素类中药衍生碳量子点的制备方法,属于纳米材料技术领域。本发明采用补骨脂素类中药为原料,通过引入具有还原性的亚硝酸盐提高补骨脂素类中药衍生碳量子点的水溶性,不需要采用有机溶剂和表面活性剂分子修饰,利用亚硝酸根引入氮相关基团。操作过程简单,制备的补骨脂素类中药衍生碳量子点在高浓度下也具有良好的水溶性,而且具有蓝绿波段的荧光发射,在生物医学领域具有广阔的应用前景。
Resumen de: CN121269680A
本发明公开了一种碳粉、氨基酸离子复合材料的制备方法,包括以下步骤,碳粉活化:取粒径均匀的碳粉与硅烷偶联剂,按质量比1:(0.05‑0.2)加入反应容器,再加入无水乙醇,无水乙醇用量为碳粉质量的5‑10倍,混合后利用搅拌器搅拌,在50‑70℃恒温水浴条件下搅拌反应1‑3h;反应结束后采用布氏漏斗真空过滤,滤饼置于鼓风干燥箱中,在60‑75℃条件下干燥4‑6h以去除残留溶剂,得表面改性的活化碳粉;本发明涉及复合材料技术领域。该碳粉、氨基酸离子复合材料的制备方法,通过采用氨基酸与碱试剂反应制备氨基酸离子液,步骤S2中通过精确控制pH值和反应条件,确保了离子液的高纯度和稳定性。
Resumen de: CN121269690A
本发明公开了一种碳纳米管的改性方法,包括如下内容:(1)将碳纳米管加入含有亚铁离子的酸性溶液中,通过超声分散进行混合,得到黑色悬浊液;(2)将步骤(1)得到的黑色悬浊液倒入反应容器中,加入无水硫酸钠搅拌至完全溶解后,插入阳极和阴极,构建电芬顿反应系统,通过磁场发生装置在反应容器周围构建磁场,在搅拌条件下向阴极区通入含氧气体,施加恒流电源进行电芬顿反应;(3)将步骤(2)得到的反应产物进行固液分离,经洗涤、干燥后得到改性的碳纳米管。本发明在保持碳纳米管完整性的前提下增加了表面官能团,避免碳纳米管的改性表面结构被破坏,操作简单,溶剂用量少,绿色环保,有着良好的应用前景。
Resumen de: CN121269652A
本发明公开了一种碳包覆羟基磷灰石负载的锌化合物复合材料的制备方法及应用,属于水系锌离子电池技术领域。将锌源、含羧基与羟基的有机配体、硫化物和极性有机溶剂混合,搅拌加热反应;将羟基磷灰石加入到混合溶液并转移到反应釜内进行分段控温反应,抽滤、干燥,得到类手风琴状结构固体反应物;将沉积碳前驱体与类手风琴状结构固体反应物放置在不同的加热区域,在氩气气氛下,采用双温区独立控温的方式进行碳沉积,得到碳包覆羟基磷灰石负载的锌化合物复合材料。本发明采用硫化物调控、羟基磷灰石连接、有机碳沉积的方式制备出了类手风琴状的复合材料,在锌离子电池中具有优异的比容量以及良好的循环稳定性。
Resumen de: CN121269687A
本申请涉及一种利用铝电解废炭渣制备碳量子点的方法,属于电解铝工业固废综合利用技术领域。本申请通过选择铝电解废炭渣作为碳源,并引入尿素作为掺杂剂和分解剂制备碳量子点,不仅解决了铝电解废炭渣处理的环境问题,还为碳量子点的制备提供了新的思路和技术支持。
Resumen de: CN121282198A
本发明提供一种多孔碳颗粒及其制备方法、负极活性材料、二次电池,其中,该多孔碳颗粒比表面积的取值范围为2300m2/g至3000m2/g,所述多孔碳颗粒总孔容的取值范围为1.1cc/g至1.6cc/g,按所述多孔碳颗粒总孔容占比计包括:孔径小于0.7nm的微孔,占比0至5%;孔径为0.7nm至2nm的微孔,占比70%至80%。在本申请通过所述多孔碳颗粒总孔容的取值范围为1.1cc/g至1.6cc/g时,按所述多孔碳颗粒总孔容占比计包括:孔径小于0.7nm的微孔,占比0至5%;孔径为0.7nm至2nm的微孔,占比70%至80%,能够提供高比表面积,更多暴露的碳原子在孔隙内表面,为硅烷分子提供更多吸附位点,进而提高了电池容量性能。
Resumen de: CN121282143A
本发明公开了垂直石墨烯骨架限域氟化硅基复合材料及其制备方法和应用,属于无机材料领域。将Si放入管式炉,在氩气环境下以10℃/min加热至1000‑1200℃;接着将气氛转换为氢气/甲烷混合物反应,生成Si@G;随后将Si@G与四氟对苯二甲酸按混合,研磨后转移至管式炉,最后在氩气氛下热处理,得到Si@G‑F复合材料;该复合材料呈现核壳式致密结构,垂直生长的石墨烯片(VGs)自适应包覆于硅颗粒表面,形成紧密交联的三维网络;呈现出分散的类球形颗粒,表面被皱褶状的石墨烯片层紧密包覆;本发明所述垂直石墨烯骨架限域氟化硅基复合材料Si@G‑F复合材料展现出优异电化学性能,为高能量密度锂离子电池的发展提供了一条切实可行的新途径。
Resumen de: CN121271536A
本申请涉及一种芒果叶植物源聚集诱导荧光碳量子点的制备方法,包括以下步骤:步骤1:选取芒果叶为原材料,经冷冻干燥后粉碎得芒果叶粉末;步骤2:将步骤1所得芒果叶粉末与无水乙醇水混合水溶液在暗处加热回流,得到碳量子点溶液,然后进行透析,冷冻干燥后得到碳量子点。本发明以芒果叶为原料、制备了固态荧光性能的植物源的AIE型碳量子点,有效解决了CDs的传统聚集荧光猝灭效应且兼具高AIE‑CDs荧光效率。
Resumen de: CN121269692A
本发明公开了一种石墨烯界面材料的制备方法,涉及导热材料技术领域,具体制备石墨烯膜,通过在制浆过程中加入一定比例的碳基材料,经涂布后形成一定厚度的石墨烯薄膜,将石墨烯薄膜浸渍于含有发泡剂的溶液中进行预膨胀得到发泡的石墨烯膜,经烘箱烘干后使用辊压机将其压延成指定的厚度,再经碳化、高温石墨化后得到三维多孔结构的石墨烯界面材料。本发明通过发泡剂发泡的方式制备石墨烯三维蜂窝骨架,在制备过程中添加碳基材料,碳基材料与石墨烯片层在高温条件下生长在一起,形成连续的三维网状结构,将石墨烯平面导热能力辐射至垂直导热,增强纵向导热能力,同时碳基材料和发泡处理的引入提升了三维结构整体的强度及回弹性。
Resumen de: CN121269625A
本发明公开了一种钛锰系固态储氢材料及其制备方法,该材料包括按重量份计的以下原料:TiZrVFeMn合金粉末100份、Ti@CNTs 4‑15份和载镍铁抗氧化MXene 1.9‑7.6份;TiZrVFeMn合金粉末中各成分的质量百分含量为:Ti 21‑25%,Zr 1.5‑4.2%,V 7‑14%,Fe 1.4‑3.5%,剩余为Mn。本发明通过在TiZrVFeMn合金粉末中添加载镍铁抗氧化MXene,一方面能够借助其二维层状结构提高储氢密度并改善放氢性能,另一方面借助于其上杂化的Ti3C2量子点所提供的还原性能,可以有效提高储氢合金的抗氧化能力,解决钛锰系储氢合金因氧化造成表面中毒、难活化的问题,并提高其循环寿命。
Resumen de: CN121271537A
本发明提供了一种蓝色荧光碳点及其制备方法。该方法包括:将原料对苯二酚溶于由盐酸与去离子水组成的混合溶剂中,充分搅拌形成均匀溶液;随后将混合溶液转移至反应釜中进行水热反应;反应结束后经冷却、萃取、浓缩及透析处理,即获得目标碳点。在370nm~410nm波长激发下,所制备的荧光碳点呈现蓝色荧光发射,且具有多重发射特征,发射峰分别位于447nm,473nm和502nm处。本发明以对苯二酚为原料,在盐酸与水构成的溶剂体系中,通过一步水热法实现蓝色荧光碳点的简便制备。该方法原料易得、成本低、操作简单,具备良好的规模化生产前景。
Resumen de: CN121270582A
本发明涉及一种可用于污水检测的碳量子点‑ZIF‑8复合物及其制备方法和应用。通过ZIF‑8和碳量子点配合,允许碳量子点‑ZIF‑8复合物通过双峰比值法实现四环素类的高精度检测。
Resumen de: CN121269672A
本申请提供了一种磷酸铁锂材料及其制备方法与应用,属于锂电池技术领域,其中所述的磷酸铁锂材料,以质量份数计包括以下原料:LiFePO4前驱体88‑92份、Li2SiO32‑4份、MgF2 0.5‑1.5份、Mg‑Ti‑Zr三元梯度掺杂溶胶1.5‑2.5份、表面羧基化改性的聚丙烯腈基碳纤维4‑6份。本发明的磷酸铁锂材料通过Mg‑Ti共掺杂、原子层沉积Li2SiO3层以及化学沉积碳层等步骤,有效提升了材料的导电性能和结构稳定性,从而使其在锂电池正极材料中展现出了优异的充放电性能及循环性能,特别是在低温环境下具有显著的优势。
Resumen de: CN121269689A
本发明涉及锂硫电池技术领域,具体涉及一种石墨烯碳纳米管杂化材料的制备方法及锂硫正极材料。本发明提供的石墨烯碳纳米管杂化材料的制备方法,包括如下步骤,S1,将氧化石墨烯溶液和二价金属盐溶液混合,得到混合液;S2,将碳源、氮源和沉淀剂混合,在向其中加入步骤S1得到的混合液,水热反应,固液分离,得到中间体;S3,将中间体碳化、洗涤和固液分离得到石墨烯碳纳米管杂化材料。本发明利用氧化石墨烯表面具有丰富且分布均匀的极性官能团的特性,能够均匀的吸附二价金属离子,以便于水热反应中原位生长的碳纳米管分布更加均匀,增加了储硫空间,创建快速的例子和电子传输通道,增加电化学反应动力学。
Resumen de: CN121271533A
本发明公开了一种N,S共掺杂碳纳米点的制备方法及其用于甲醛检测的应用,属于分析检测领域。本发明中N,S共掺杂碳纳米点的制备方法为:取谷胱甘肽、柠檬酸钠和水混合形成混合液,之后进行加热反应,反应结束后纯化得到N,S共掺杂碳纳米点。本发明制备的碳点可以实现对甲醛的定量检测,且成本低廉、灵敏度高,适用于现场快速检测,具有较高的实用价值和推广前景。
Resumen de: CN121247872A
本发明公开了一种以碳纳米管为模板制备硫化亚铜纳米线的方法,属于纳米材料合成技术领域。本发明利用碳纳米管自身管径较小对毛细压力有显著增强作用,在满足表面张力临界值范围内将硫化亚铜以纳米线的形式吸入碳纳米管模板中。利用不同管径的碳纳米管可精准对合成的硫化亚铜纳米线进行尺寸调控,通过选择长短不一的碳纳米管,可调控合成的硫化亚铜纳米线的长度。该方法具有设备简单、操作方便、无需复杂化学试剂制备前驱体过程等优点,适合需要对纳米线尺寸有所设计的生产场景。本发明的生长技术简单快捷,成本低,能够有效设计所得纳米线的尺寸,满足不同应用场景对纳米线尺寸的需求,减少了有害化学物质的使用,减轻了环境压力。
Resumen de: CN121247766A
本申请提供一种磷酸铁锂正极材料的制备方法及应用,属于锂电池技术领域。所述方法包括以下步骤:S1:提供一种介孔模板;S2:通过气相传输,将铁源和磷源填入所述介孔模板的孔道内,并进行热处理,形成铁磷氧化物前驱体;S3:通过气相渗锂,使锂源与所述铁磷氧化物前驱体反应,生成磷酸铁锂;S4:通过化学气相沉积,在所述磷酸铁锂表面沉积连续碳层;S5:去除所述介孔模板,得到具有三维双连续网络结构的磷酸铁锂/碳复合材料。本发明通过气相传输和气相渗锂,实现了铁源、磷源和锂源的高效利用,降低了制备成本,化学气相沉积步骤在磷酸铁锂表面沉积了连续碳层,进一步提高了材料的导电性和循环稳定性。
Nº publicación: CN121249349A 02/01/2026
Solicitante:
浙江纺织服装职业技术学院
Resumen de: CN121249349A
本发明公开了一种基于碳量子点的荧光液态染料及制备方法和使用方法,属于荧光碳量子点制备技术领域。将半胱氨酸作为单一碳源、氮源以及硫源作为主前驱体与辅助前驱体以及交联促进剂溶于去离子水中合成网络结构的多功能量子点水凝胶,透析纯化得到碳量子点纳米凝胶网络颗粒,随后在碱性环境下,生成荧光液态染料。本发明制备得到的荧光液态染料通过形成以CQDs为节点的交联水凝胶,该网络自身通过二硫键和酰胺键构成,具有强大的共价键,形成网络骨架。并通过对于粘度、表面张力等条件的控制,令其完美适应数码喷涂工艺,能形成均匀、准确的微滴,保证图案的打印精度。